SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 48

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.9 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 7.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 34
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 16.9
Скорость записи, Гб/сек

7.0 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1955 3029

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

модули RAM

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM