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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
48
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
3208
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
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