RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
65
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link