RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link