RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link