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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
58
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
49
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1718
2504
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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