RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
2481
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link