RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
2481
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link