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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
41
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
19
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3855
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
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