RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
41
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3855
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link