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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
41
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
40
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3020
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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