RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3860
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link