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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3285
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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