RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
29
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3285
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link