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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
8.0
16.9
写入速度,GB/s
7.3
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3285
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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