RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3482
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link