RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3288
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link