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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
60
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
60
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2687
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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