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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
49
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
49
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2534
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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