RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
49
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2534
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link