RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
49
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2534
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link