RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2431
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link