RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2713
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link