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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
61
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
61
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
8.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
1813
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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