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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
61
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.6
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
61
Velocità di lettura, GB/s
11.6
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
1813
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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