RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
24
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
21
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3062
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link