RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2346
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link