RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
2346
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link