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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2256
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641162 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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