RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2256
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link