RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2103
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link