SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Puntuación global
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 46
    En 17% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 6.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 46
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.9 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.6 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1406 left arrow 2660
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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