Comparación de la memoria RAM SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Puntuación global

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

18 39

En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.4 12.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

17.2 7.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1775 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns