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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
39
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1775
3814
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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