RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
39
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1775
3814
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link