RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link