RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link