RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link