RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
45
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2190
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link