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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
43
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
41
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2366
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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