RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
43
En -139% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3575
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link