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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
43
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
18
读取速度,GB/s
12.3
20.5
写入速度,GB/s
8.1
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3575
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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