RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
4156
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link