RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3061
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link