RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
6.7
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3061
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-181.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link