RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
6.7
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3061
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link