RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3061
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link