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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2909
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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