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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
12
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2347
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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