RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
43
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2199
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link