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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2920
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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