RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
52
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
14900
En 1.17 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17500
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2319
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link