RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3050
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link