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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
14.9
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3501
2256
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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